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參數資料
| 型號： | MMBD3004S |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | MMBD3004S |
MMBD3004S
SURFACE MOUNT
FAST SWITCHING DIODE
REVERSE VOLTAGE – 300 Volts
FORWARD CURRENT – 0.225 Ampere
FEATURES
Fast switching speed
Ideally suited for automatic insertion
For general purpose switching applications
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Lead free in RoHS 2002/95/EC compliant
SOT-23
SOT-23
Dim.
Min.
Max.
A
0.90
1.15
A1
0.00
0.10
b
0.30
0.50
c
0.08
0.15
D
2.80
3.00
E
2.25
2.55
E1
1.20
1.40
e
0.95 Typ.
e1
1.80
2.00
L
0.55 Ref.
L1
0.30
0.50
Dimensions in millimeter
Maximum Ratings & Thermal Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
MMBD3004S
Units
Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
350
300
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
212
V
Forward Continuous Current
IFM
225
mA
Non-Repetitive Peak Forward Current
@t=1us
@t=1s
IFSM
4
1
A
Repetitive Peak Forward Current
IFRM
625
Power Dissipation
PD
350
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient
RΘJA
357
/W
℃
Operating Temperature Range
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-65~+150
℃
Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Test Condition
Symbol
MMBD3004S
Unit
Reverse Breakdown Voltage
IR = 150uA
VBR
350
V
Maximum Forward Voltage
IF = 20mA
IF = 100mA
IF = 200mA
VF
870
1000
1250
mV
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
VR = 240V
IR
0.1
uA
Typical Diode Capacitance
VR =0V,f=1MHz
CD
5
pF
Reverse Recovery time
Irr=3mA, IF=30mA,
RL=100
trr
50
ns
REV. 2, Oct-2010, KSYR83
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4148CC | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HW-13 | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD914-13 | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBZ5V6ALT3 | 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MMDF-7S0A-F2 | 7 CONTACT(S), BOARD MOUNT, MINI DIN CONNECTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBD3004S-13-F | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 SMALL SIGNAL DIODE SWITCHING 350MW 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD3004S-7 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 300V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD3004S-7-F | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 300V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD3004SE | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:350mW SMD Switching Diode |
| MMBD3004SE RF | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 350mW SMD Switching Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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