型號: | MMBD6100 |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
英文描述: | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 505K |
代理商: | MMBD6100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBD914 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBZ5223B-T1 | 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5231B-T1 | 5.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5241B-T1 | 12 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5243B-T1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MMBD6100_09 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
MMBD6100LT1 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD6100LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
MMBD6100LT1G | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD6100LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |