型號: | MMBD7000LT3G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Dual Switching Diode |
中文描述: | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
封裝: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 58K |
代理商: | MMBD7000LT3G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBD701LT3 | Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
MMBD701LT3G | Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
MMBD701LT1G | Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
MMBD717LT1G | 20 VOLT SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES |
MMBD914LT1G | High−Speed Switching Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MMBD7000T | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
MMBD7000-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000-V | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, Dual |
MMBD7000-V_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, Dual |