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參數資料
| 型號： | MMBD770T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes |
| 中文描述： | 肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | MMBD770T1 |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
MMBD770T1
Figure 10. Total Capacitance
Figure 11. Minority Carrier Lifetime
Figure 12. Reverse Leakage
Figure 13. Forward Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
IF, FORWARD CURRENT (mA)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
,
I
,
I
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
500
0
80
100
0
5.0
10
15
20
25
35
50
40
45
30
2.0
1.6
1.2
0.8
0
100
10
1.0
0.1
50
10
30
50
70
90
400
300
200
100
0.4
,
,
C
TA = –40
°
C
TA = 85
°
C
TA = 25
°
C
TA = 100
°
C
TA = 75
°
C
TA = 25
°
C
MMBD770T1
MMBD770T1
MMBD770T1
MMBD770T1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD330T1 | Schottky Barrier Diodes |
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| MMBD2838 | Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2837LT1 | Monolithic Dual Switching Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBD770T1G | 功能描述:肖特基二極管與整流器 70V 120mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MMBD770W | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| MMBD770W_09 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| MMBD770WS | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| MMBD914 | 功能描述:整流器 High Cond Ult Fst Di RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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