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參數資料
| 型號： | MMBT200A-HIGH |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | MMBT200A-HIGH |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA63 | PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors(PNP Silicon) |
| MMBTA63 | PNP Darlington Transistor |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors(PNP Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2131T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2131T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2132T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
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