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參數資料
| 型號： | MMBT4124 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型（通用晶體管） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MMBT4124 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4124 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT4124 | NPN General Purpose Amplifier |
| MMBT4126 | Replaced by OPA4820 : Wideband, Low Power, Quad Voltage Feedback Op Amp 14-PDIP |
| MMBT4126 | Replaced by OPA4820 : Wideband, Low Power, Quad Voltage Feedback Op Amp 14-SOIC |
| MMBT4126-7 | Replaced by OPA4684 : Quad Wideband, Low Power Current Feedback Op Amp 14-SOIC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT4124 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V |
| MMBT4124_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4124-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4124-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4124LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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