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參數資料
| 型號： | MMBT4126LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | MMBT4126LT1 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 0
1
Publication Order Number:
MMBT4126LT1/D
MMBT4126LT1
Preferred Device
General Purpose Transistor
PNP Silicon
Moisture Sensitivity Level: 1
ESD Rating – Human Body Model: >4000 V
ESD Rating
– Machine Model: >400 V
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
–25
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
–25
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
–4
Vdc
Collector Current–Continuous
I
C
–200
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board
(Note 1.)
T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient (Note 1.)
R
JA
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (Note 2.)
T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient (Note 2.)
R
JA
417
°
C/W
Junction and Storage
Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to
+150
°
C
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
SOT–23
CASE 318
STYLE 6
http://onsemi.com
MMBT4126LT1
SOT–23
3000/Tape & Reel
MARKING DIAGRAM
C3 M
C3 = Device Code
M
= Date Code
1
2
3
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA63LT1G | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MMBTA64LT1G | Darlington Transistors PNP Silicon |
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| MMBV2101LT1 | Silicon Tuning Diode |
| MMBV2101 | Silicon Tuning Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT4126LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4260 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MMBT4354 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4354_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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