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參數資料
| 型號： | MMBT5551LT3G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 60 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | MMBT5551LT3G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT1 | High Voltage Transistors |
| MMBT5551 | |
| MMBT5551LT1 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| MMBT5551 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON |
| MMBTA06 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5551LTG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT5551M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-723 GP NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5770 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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