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參數資料
| 型號： | MMBT589LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor |
| 中文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MMBT589LT1 |
MMBT589LT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 2. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 3. “On” Voltages
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 5. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 6. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
10
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
200
150
100
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
1.0
130
70
50
100
1000
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
0.001
1.0
0.95
0.6
0.55
0.5
1.0
0.01
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.6
0.4
0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.001
1.8
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.1
0.1
hF
V
VB
0
0.01
0.1
1.0
10
110
150
170
10
0.1
1.0
10
,
VC
10
1000
100
0.8
0.01
10
1.0
0.4
VC
VCE = -2.0 V
hF190
210
230
VCE = -1.0 V
125
°
C
25
°
C
-55
°
C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.9
VBE(sat)
VCE(sat)
VBE(on)
0.7
0.65
0.8
0.75
0.9
0.85
IC/IB = 100
IC/IB = 10
V
1.6
1.4
1.2
V
IC/IB = 100
IC/IB = 10
1000 mA
100 mA
50 mA
10 mA
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