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參數資料
| 型號： | MMBT6520 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 高壓晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | MMBT6520 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IB
IC
–350
Vdc
Collector–Base Voltage
–350
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Base Current
–250
mA
Collector Current — Continuous
–500
mAdc
DEVICE MARKING
MMBT6520LT1 = 2Z
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board (1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –1.0 mA)
Collector–Base Breakdown Voltage (IC = –100
μ
A)
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = –10
μ
A)
Collector Cutoff Current (VCB = –250 V)
Emitter Cutoff Current (VEB = –4.0 V)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
–350
—
Vdc
–350
—
Vdc
–5.0
—
Vdc
—
–50
nA
—
–50
nA
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MMBT6520LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6520LT1 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT9018 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBTH10 | High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125 |
| MMBTH10-7 | NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT6520LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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