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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT9013L-D-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | MMBT9013L-D-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT9013
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 3
Copyright 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-021.C
1W OUTPUT AMPLIFIER OF
POTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION
FEATURES
*High total Power Dissipation. (625mW)
*High Collector Current. (500mA)
*Excellent hFE linearity.
*Complementary to UTC MMBT9012
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT9013-x-AE3-R MMBT9013L-x-AE3-R MMBT9013G-x-AE3-R SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222AG-AL3-R | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF6V13250HR5 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MJE13001-E-T92-B | 200 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE13001L-C-T92-K | 200 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE13001L-F-T92-B | 200 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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