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參數資料
| 型號： | MMBTA05 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (DRIVER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型（驅動晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | MMBTA05 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA06 | NPN (DRIVER TRANSISTOR) |
| MMBTA06 | NPN Silicon AF Transistor |
| MMBTA06 | SoundPlus(TM) High Performance Audio Operational Amplifiers 14-SOIC |
| MMBTA06LT1 | Driver Transistors(NPN Silicon) |
| MMBTA05LT1 | Driver Transistors(NPN Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA05 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23 |
| MMBTA05_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA05-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA05-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA05LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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