- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374467 > MMBTA43LT1 (ON SEMICONDUCTOR) High Voltage Transistors(NPN Silicon) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBTA43LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | MMBTA43LT1 |
Zowie Technology Corporation
High Voltage Transistor
NPN Silicon
MMBTA43
1
2
1
2
3
3
SOT-23
Rating
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
200
200
6.0
500
Characteristic
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
o
C
C
Total Device Dissipation Alumina Substrate,
(2)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
o
C
C
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
DEVICE MARKING
MMBTA43=M1E
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
Emitter - Base Breakdowe Voltage
( I
E
= 100 uAdc, I
C
=0 )
Emitter Cutoff Curretn
( V
EB
= 4.0 Vdc, I
C
=0 )
Collector-Emitter Breakdowe Voltage
(3)
( I
C
= 1.0mAdc, I
B=0
)
Unit
Vdc
Collector-Base Breakdowe Voltage
( I
C
= 100uAdc, I
E=0
)
Vdc
Vdc
uAdc
Collector Cutoff Current
( V
CE
= 160 Vdc, I
E
= 0 )
Symbol
V
(BR)EBO
V
(BR)CEO
I
EBO
V
(BR)CBO
I
CBO
Min.
6.0
200
-
200
-
Max.
-
-
0.1
-
0.1
uAdc
Max.
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 to +150
Unit
mW
mW /
o
C
mW
mW /
o
C
o
C / W
o
C / W
o
C
Symbol
P
D
P
D
R
JA
R
JA
T
J,
T
STG
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
EMITTER
BASE
COLLECTOR
(1) FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062in.
(2) Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024in. 99.5% alumina.
(3) Pulse Test : Pulse Width 300 uS, Duty Cycle 2.0%.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA43LT3 | High Voltage Transistors |
| MMBTA43LT1 | High Voltage Transistors |
| MMBTA43 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE) |
| MMBTA43LT1 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| MMBTA55 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA43LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA44 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44-G | 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 |
| MMBTA55 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。