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參數資料
| 型號： | MMBTA44 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SOT-23-3L Plastic-Encapsulate Transistors |
| 中文描述： | 采用SOT - 23 - 3升塑料封裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | MMBTA44 |
1
2. 80à0. 05
1.60à0. 05
0
2
0
1
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate Transistors
MMBTA44
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power dissipation
P
CM:
0.35 W (Tamb=25
℃
)
Collector current
I
CM:
0.2 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 400 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= 100μA, I
E
=0
400
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
I
C
= 1mA , I
B
=0
400
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
=100μA, I
C
=0
5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=400V, I
E
=0
0.1
μA
Collector cut-off current
I
CEO
V
CE
=400V
5
μA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 4V, I
C
=0
0.1
μA
H
FE(1)
V
CE
=10V, I
C
=10 mA
80
300
H
FE(2)
V
CE
=10V, I
C
=1mA
70
DC current gain
H
FE(3)
V
CE
=10V, I
C
=100 mA
60
V
CE
(sat)
I
C
=10 mA, I
B
=1mA
0.2
V
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
=50 mA, I
B
=5mA
0.3
V
Base-emitter sataration voltage
V
BE
(sat)
I
C
=10 mA, I
B
= 1 mA
0.75
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=20V, I
C
=10mA
f =30MHz
50
MHz
MARKING
3D
SOT-23-3L
1.
BASE
2.
EMITTER
3.
COLLECTOR
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