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參數資料
| 型號： | MMBTA64LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Darlington Transistors(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | MMBTA64LT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA64 | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMBTA64-7 | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMBTA64 | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMBV609LT3 | UHF BAND, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMDL914-TP | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA64LT1G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA64LT3G | 功能描述:達林頓晶體管 SS DL XSTR PNP 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA70LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA70LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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