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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTH10L |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | VHF/UHF Transistor |
| 中文描述： | 甚高頻/超高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | MMBTH10L |
MMBTH10LT1, MMBTH104LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
25
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(IE = 10
μ
Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
3.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 25 Vdc, IE = 0)
ICBO
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 2.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
hFE
60
120
240
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 mAdc, IB = 0.4 mAdc)
VCE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
VBE
0.95
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
fT
650
800
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB= 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
0.7
pF
CommonBase Feedback Capacitance
(VCB= 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Crb
0.65
pF
Collector Base Time Constant
(IC= 4.0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 31.8 MHz)
rb
′
Cc
9.0
ps
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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