- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382338 > MMBTH10LT1 (ON SEMICONDUCTOR) VHF/UHF Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBTH10LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | VHF/UHF Transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | MMBTH10LT1 |
MMBTH10LT1, MMBTH104LT1
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
600
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 1. Rectangular Form
gib (mmhos)
Figure 2. Polar Form
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Rectangular Form
gfb (mmhos)
Figure 4. Polar Form
70
60
50
10
0
10
0
20
40
60
0
80
100
70
60
50
40
30
20
0
60
30
20
10
10
30
50
70
10
10
200
300
400
500
700
1000
80
20
30
40
50
60
40
30
20
20
30
50
40
100
200
300
400
500
700
1000
0
10
20
30
30
20
10
40
70
60
50
bfb
gfb
100
200
400
700
1000 MHz
1000 MHz
100
200
400
700
gib
bib
j
i
j
f
,
i
y
,
i
y
yfb, FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
COMMONBASE y PARAMETERS versus FREQUENCY
(VCB = 10 Vdc, IC = 4.0 mAdc, TA = 25
°
C)
yib, INPUT ADMITTANCE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBV2109LT1 | Silicon Tuning Diodes |
| MMBV2109LT1 | Silicon Tuning Diode |
| MMBZ5235BS-7-F | surface mount silicon Zener diodes |
| MMBZ5233BS-7-F | surface mount silicon Zener diodes |
| MMBZ5234BS-7-F | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10RG | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。