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參數資料
| 型號： | MMBZ5227B |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 3.6 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | MMBZ5227B |
MMBZ52xB Series
SURFACE MOUNT
ZENER DIODE
REVERSE VOLTAGE – 2.4 to 39 Volts
POWER DISSIPATION – 0.3 Watts
FEATURES
Planar die construction
300mW power dissipation rating
Ultra-small surface mount package
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 Plastic
Case Material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
SOT-23
SOT-23
Dim.
Min.
Max.
A
0.90
1.15
A1
0.00
0.10
b
0.30
0.50
c
0.08
0.15
D
2.80
3.00
E
2.25
2.55
E1
1.20
1.40
e
0.95 Typ.
e1
1.80
2.00
L
0.55 Ref.
L1
0.30
0.50
Dimensions in millimeter
Maximum Ratings & Thermal Characteristics @ T
A = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Forward Voltage
@IF=10mA
VF
0.9
V
Power Dissipation
PD
300
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RΘJA
417
/W
℃
Operating Temperature Range
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-65~+150
℃
Device Marking :
Device P/N
Marking
Pin Diagram
Equivalent Circuit Diagram
MMBZ5221B
XXX=Specific device code
(See below table)
Electrical Characteristics @ T
A = 25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA49124 | 12.4 GHz - 18 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE GUNN DIODE |
| MA49499 | 18 GHz - 26 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE GUNN DIODE |
| MA4E974L-272 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
| MA4E204H-271 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, C-X BAND, MIXER DIODE |
| MA4E976H-1012 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBZ5227B_D87Z | 功能描述:穩壓二極管 3.6V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5227B_Q | 功能描述:穩壓二極管 3.6V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5227B-7 | 功能描述:穩壓二極管 3.6V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5227B-7-F | 功能描述:穩壓二極管 3.6V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5227B-E3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 0.225W, SOT-23-3, Zener Voltage Vz Typ:3.6V, Power Dissipati 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 0.225W, SOT-23-3, Zener Voltage Vz Typ:3.6V, Power Dissipation Pd:225mW, Operating Temperature Min:-55C, Operating Temperature Max:150C, Diode Case Style:SOT-23, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3.6V, 225MW, SOT-23-3, Zener Voltage Vz Typ:3.6V, Power Dissipation Pd:225mW, Operating Temperature Min:-55C, Operating Temperature Max:150C, Diode Case Style:SOT-23, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes |
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