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參數資料
| 型號： | MMBZ5235C |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6.8 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | MMBZ5235C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5246C | 16 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MA44621C-91 | K BAND, 20 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MA44663B-134 | K BAND, 20 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MA4ST524 | VHF-UHF BAND, 210 pF, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA4ST081 | LF-UHF BAND, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBZ5235C-E3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5235C-G3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5235C-V-GS08 | 功能描述:穩壓二極管 6.8 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5235C-V-GS18 | 功能描述:穩壓二極管 6.8 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5235ELT1 | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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