- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374475 > MMBZ5256BLT1 (樂山無線電股份有限公司) 3-32V Dual Operational Amplifier, Ta = 0 to +70°C; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBZ5256BLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3-32V Dual Operational Amplifier, Ta = 0 to +70°C; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 |
| 中文描述： | 半導體 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | MMBZ5256BLT1 |
Part Number: MMBZ5221BW thru MMBZ5259BW
PAGE 1
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 - 39 Volts
200 mWatts
Planar Die construction
200mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V - 39V
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Approx. Weight: 0.008 gram
PACKAGE
SOT-323
POWER
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
r
e
m
a
r
a
P
l
o
b
m
y
S
e
u
V
s
U
5
2
t
)
A
s
e
N
(
n
o
p
s
D
r
w
o
P
O
C
P
D
0
0
2
W
m
f
h
E
D
e
J
n
d
a
s
m
o
d
3
e
,
n
o
e
C
d
e
s
e
o
g
S
m
i
p
u
d
w
s
e
v
r
F
a
w
k
a
-
e
P
n
)
B
s
e
N
(
)
o
h
m
C
E
p
I
FSM
0
s
p
m
A
e
g
n
a
R
e
p
m
e
T
e
g
a
S
d
n
a
n
o
n
u
J
g
n
p
O
T
J
0
5
1
+
o
5
5
O
C
SINGLE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5230BLT1 | SEMICONDUCTOR |
| MMBZ5222BLT1 | 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp with Shutdown 6-SOT-23 -40 to 125 |
| MMBZ5245BLT1 | SEMICONDUCTOR |
| MMBZ5226BLT1 | Small Signal Bias Resistor Transistor SC75 NPN 50V; Package: SC-75 (SOT-416) 3 LEAD; No of Pins: 3; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 3000 |
| MMBZ5227BLT1 | SEMICONDUCTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBZ5256BLT1G | 功能描述:穩壓二極管 30V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5256BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE, 225mW, 30V, SOT-23 |
| MMBZ5256BS-7 | 功能描述:穩壓二極管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5256BS-7-F | 功能描述:穩壓二極管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5256BT-7 | 功能描述:穩壓二極管 150MW 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。