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參數資料
| 型號： | MMDL770T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diode |
| 中文描述： | 肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | MMDL770T1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
S4–1/3
Schottky Barrier Diode
PLASTIC SOD– 323
CASE 477
1
2
MMDL770T1
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
R
Rating
Value
70
Unit
Vdc
Reverse Voltage
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
P
D
Characteristic
Max
200
Unit
mW
Total Device Dissipation FR–5 Board,*
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage
Temperature Range
1.57
635
mW/°C
°C/W
R
θ
JA
T
J
, T
stg
–55 to+150
°C
*FR–5 Minimum Pad
ORDERING INFORMATION
Device
MMDL770T1
Package
SOD–323
Shipping
3000 / Tape & Reel
1.0 pF SCHOTTKY
BARRIER DIODE
2
ANODE
1
CATHODE
Schottky barrier diodes are designed primarily for high–efficiency
UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast
switching RF and digital applications.
Extremely Low Minority Carrier Lifetime
Very Low Capacitance — 1.0 pF @ 20 V
Low Reverse Leakage — 200 nA (max)
High Reverse Voltage — 70 Volts (min)
Available in 8 mm Tape and Reel
Device Marking: 5H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I
R
= 10
μ
A)
Diode Capacitance
(V
R
= 20 Volts, f = 1.0 MHz)
Reverse Leakage
(V
R
= 35 V)
Forward Voltage
(I F = 1.0 mAdc)
(I F = 10 mA)
V
(BR)R
70
—
—
Volts
C
T
—
0.5
1.0
pF
I
R
—
9.0
200
nAdc
V
F
—
0.7
1.0
Vdc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDL770T1 | Schottky Barrier Diode |
| MMDT2222A-7-F | DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMDT2222V | DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMDT2222V-7 | DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMDT2227-7-F | COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMDL770T1G | 功能描述:肖特基二極管與整流器 70V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MMDL914 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 100V 200mA 4pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMDL914T1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMDL914T1G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMDL914T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE 200mA 100V SOD-323 |
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