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參數資料
| 型號： | MMJT350T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Bipolar Power Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | MMJT350T1 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
October, 2003 Rev. 1
1
Publication Order Number:
MMJT350T1/D
MMJT350T1
Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
. . . designed for use in lineoperated applications such as low
power, lineoperated series pass and switching regulators requiring
PNP capability.
High CollectorEmitter Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
= 300 Vdc @ I
C
=
1.0 mAdc
Excellent DC Current Gain
h
FE
= 30240 @ I
C
= 50 mAdc
Epoxy Meets UL94, V0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V
Machine Model, C; > 400 V
http://onsemi.com
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMJT350T1
SOT223
1000 / Tape &
Reel
SOT223
CASE 318E
Style 1
MARKING
DIAGRAM
AYM
T350
T350
A
Y
M
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Last Digit of Year
= Month Code
Schematic
C 2,4
B 1
E 3
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
300 VOLTS
2.75 WATTS
Top View Pinout
C
C
2
E
3
B
1
4
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