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參數資料
型號: MMJT9435
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管)
中文描述: Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 85K
代理商: MMJT9435
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
September, 2004 Rev. 5
1
Publication Order Number:
MMJT9435/D
MMJT9435
Preferred Device
Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
Features
PbFree Packages are Available
Collector Emitter Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
= 30 Vdc (Min) @ I
C
= 10 mAdc
High DC Current Gain
h
FE
= 125 (Min) @ I
C
= 0.8 Adc
= 90 (Min) @ I
C
= 3.0 Adc
Low Collector Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
= 0.275 Vdc (Max) @ I
C
= 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ I
C
= 3.0 Adc
SOT223 Surface Mount Packaging
Epoxy Meets UL 94, V0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V
Machine Model, C; > 400 V
SOT223
CASE 318E
STYLE 1
MARKING
DIAGRAM
AWW
9435
9435
A
WW
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Work Week
Schematic
C 2,4
B 1
E 3
Top View Pinout
C
C
2
E
3
B
1
4
POWER BJT
I
C
= 3.0 AMPERES
BV
CEO
= 30 VOLTS
V
CE(sat)
= 0.275 VOLTS
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
PIN ASSIGNMENT
http://onsemi.com
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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MMJT9435T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Metallized polyester According to CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122
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