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參數資料
| 型號： | MMPQ3725 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Quad Core Drier Transistor |
| 中文描述： | 4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 751B-05, SO-16 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | MMPQ3725 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 2.0 Vdc)
hFE
35
25
75
45
200
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
VCE(sat)
—
0.32
0.45
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
VBE(sat)
0.8
0.9
1.1
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
—
275
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
5.1
—
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Cib
—
62
—
pF
Turn–On Time
(IC = 500 mAdc, IB1 = 50 mAdc, VBE(off) = –3.8 Vdc)
ton
—
20
—
ns
Turn–Off Time
(IC = 500 mAdc, IB1 = IB2 = 50 mAdc)
toff
—
50
—
ns
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ3725 | NPN Switching Transistor |
| MMQA | SC-59 Quad Monolithic Common Anode |
| MMQA | SC-74 Quad Monolithic Common Anode |
| MMSD1000LT1 | SWITCHING DIODE |
| MMBD1000LT1 | SWITCHING DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MMPQ3904_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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