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參數資料
| 型號： | MMSTA56 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | PNP General Purpose Transistor |
| 中文描述： | PNP通用型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | MMSTA56 |
DS30167 Rev. 3 - 2
1 of 2
MMSTA55/MMSTA56
www.diodes.com
MMSTA55/MMSTA56
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary NPN Type Available
(MMSTA05/MMSTA06)
Ideal for Medium Power Amplification and
Switching
Ultra-Small Surface Mount Package
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
A
M
J
L
E
D
B C
H
K
G
B
E
C
Mechanical Data
Case: SOT-323, Molded Plastic
Case Material - UL Flammability Rating 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
MMSTA55 Marking K2H, K2G (See Page 2)
MMSTA56 Marking K2G (See Page 2)
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Weight: 0.006 grams (approx.)
Characteristic
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
JA
T
j
, T
STG
MMSTA55
-60
-60
MMSTA56
-80
-80
Unit
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage and Temperature Range
-4.0
-500
200
625
K/W
C
-55 to +150
SOT-323
Min
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Max
0.25
0.40
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65 Nominal
0.30
0.40
1.20
1.40
1.80
2.20
0.0
0.10
0.90
1.00
0.25
0.40
0.10
0.18
0
8
All Dimensions in mm
Note:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layoutE
B
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSTA63-7-F | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA64-7-F | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA63-7 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA63 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA64 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMSTA56-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56T146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA63 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DARLINGTON PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
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