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參數資料
| 型號： | MMSZ5230BS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | MMSZ5230BS |
PAGE . 1
STAD-FEB.23.2004
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
.078(1.95)
.038(.95)
.107(2.7)
.014(.35)
.006(.15)
.054(1.35)
.068(1.75)
.027(.70)
.090(2.3)
.012(.30)MIN.
.009(.25)
.002(.05)
.045(1.15)
SOD-323
Unit: inch (mm)
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
DATA SHEET
MMSZ5221BS SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 39 Volts
POWER
200 mWatts
FEATURES
Planar Die construction
200mW Power Dissipation
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Pb free product are available :
99% Sn above can meet Rohs
environment substance directive request
MECHANICAL DATA
Case: SOD-323, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202
G, Method 208
Polarity: See Diagram Below
Approx. Weight: 0.008 grams
Mounting Position: Any
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5222B | 2.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5225B | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5227B | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5228B | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5232B | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMSZ5230BS-7 | 功能描述:穩壓二極管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5230BS-7-F | 功能描述:穩壓二極管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5230BT1 | 功能描述:穩壓二極管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5230BT1G | 功能描述:穩壓二極管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5230BT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
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