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參數(shù)資料
| 型號： | MMT05B23 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Thyristor Surge Protectors |
| 中文描述： | 晶閘管浪涌保護器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | MMT05B23 |
MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3
http://onsemi.com
4
Figure 3. Breakover Voltage versus Temperature
Figure 4. Holding Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
1000
100
50
0
50
125
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IH
VB
TEMPERATURE (
°
C)
100
50
0
50
125
360
340
320
300
280
260
240
220
200
380
MMT05B230T3
MMT05B260T3
MMT05B310T3
TIME (sec)
100
10
0.1
0.01
0.001
100
10
1
C
1
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
TIME ( s)
0
50
0
I
100
t
r
= rise time to peak value
t
f
= decay time to half value
t
r
t
f
Peak
Value
Half Value
Figure 6. Peak Surge OnState Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
75
25
25
2
5
75
25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MMT05B230T3 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| MMT05B230T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
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| MMT05B260T3 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| MMT05B260T3G | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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