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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMUN5233DW1T1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
| 中文描述： | 雙偏置電阻Trasnsistors |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | MMUN5233DW1T1 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted, common for Q1 and Q2)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (VCB = 50 V, IE = 0)
Collector-Emitter Cutoff Current (VCE = 50 V, IB = 0)
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB = 6.0 V, IC = 0)
ICBO
ICEO
IEBO
—
—
100
nAdc
—
—
500
nAdc
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (IC = 10
μ
A, IE = 0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) (IC = 2.0 mA, IB = 0)
ON CHARACTERISTICS(3)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
50
—
—
Vdc
50
—
—
Vdc
DC Current Gain
(VCE = 10 V, IC = 5.0 mA)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
hFE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 0.3 mA)
(IC = 10 mA, IB = 5 mA) MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1
(IC = 10 mA, IB = 1 mA) MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
VCE(sat)
—
—
0.25
Vdc
Output Voltage (on)
(VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 k
)
MUN5211lDW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
(VCC = 5.0 V, VB = 3.5 V, RL = 1.0 k
)
3. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
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