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參數資料
型號: MMVL105GT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon Tuning Diode
中文描述: 硅調諧二極管
文件頁數: 2/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商: MMVL105GT1
MMVL105GT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I
R
= 10
μ
Adc)
V
(BR)R
30
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 28 Vdc)
I
R
50
nAdc
Device Type
C
T
V
R
= 25 Vdc, f = 1.0 MHz
pF
Q
V
R
= 3.0 Vdc
f = 50 MHz
C
R
C
3
/C
25
f = 1.0 MHz
Min
Max
Typ
Min
Max
MMVL105GT1
1.5
2.8
250
4.0
6.5
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Diode Capacitance
20
16
12
8.0
4.0
0
0.3
1.0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
20 30
C
Figure 2. Figure of Merit
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Diode Capacitance
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Q
10
1000
100
10
100
1000
C 1.04
–75
1.02
1.00
0.98
0.96
–25
+25
+75
+125
V
R
= 3.0 Vdc
f = 1.0 MHz
18
14
10
6.0
2.0
f = 1.0 MHz
T
A
= 25
°
C
V
R
= 3 Vdc
T
A
= 25
°
C
–50
0
+50
+100
1.03
1.01
0.99
0.97
0.5
2.0 3.0
5.0
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