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參數(shù)資料
型號: MOC8050
廠商: QT OPTOELECTRONICS
元件分類: 光電耦合器
英文描述: PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS Preliminary
中文描述: 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 274K
代理商: MOC8050
2
Motorola Optoelectronics Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)(1)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
(1)
Max
Unit
INPUT LED
Reverse Leakage Current
(VR = 3 V)
IR
0.05
10
μ
A
Forward Voltage
(IF = 10 mA)
VF
1.15
2
Volts
Capacitance
(VR = 0 V, f = 1 MHz)
PHOTODARLINGTON
(TA = 25
°
C and IF = 0, unless otherwise noted)
Collector–Emitter Dark Current
(VCE = 60 V)
C
18
pF
ICEO
1
μ
A
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1 mA)
V(BR)CEO
80
Volts
Emitter–Collector Breakdown Voltage
(IE = 100
μ
A)
COUPLED
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Collector Output Current
(VCE = 1.5 V, IF = 10 mA)
V(BR)ECO
5
Volts
MOC8030
MOC8050
IC (CTR)(2)
30 (300)
50 (500)
mA (%)
Isolation Surge Voltage(3,4), 60 Hz Peak ac, 5 Second
Isolation Resistance(3)
(V = 500 V)
VISO
RISO
7500
Vac(pk)
1011
Ohms
Isolation Capacitance(3)
(V = 0 V, f = 1 MHz)
CISO
0.2
pF
SWITCHING
Turn–On Time
ton
toff
tr
3.5
μ
s
Turn–Off Time
95
Rise Time
VCC = 10 V, RL = 100
, IF = 5 mA(5)
1
Fall Time
tf
2
1. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
2. Current Transfer Ratio (CTR) = IC/IF x 100%.
3. For this test, LED Pins 1 and 2 are common and Phototransistor Pins 4 and 5 are common.
4. Isolation Surge Voltage, VISO, is an internal device dielectric breakdown rating.
5. For test circuit setup and waveforms, refer to Figure 9.
TA = –55
°
C THRU
+25
°
C
+70
°
C
+100
°
C
Figure 1. LED Forward Voltage versus Forward Current
Figure 2. Output Current versus Input Current
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
1
10
100
1000
IF, LED FORWARD CURRENT (mA)
25
°
C
100
°
C
V
I
10
1
0.1
0.01
0.5
1
2
5
10
20
50
IF, LED INPUT CURRENT (mA)
PULSE ONLY
PULSE OR DC
TA = –55
°
C
TYPICAL CHARACTERISTICS
TA = 25
°
C
NORMALIZED TO: IF = 10 mA
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