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參數資料
| 型號： | MPS2222A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管（通用晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | MPS2222A |
MPS2222A
SMALL SIGNAL TRANSISTORS (NPN)
FEATURES
¨
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and amplifier applications.
¨
On special request, this transistor is
also manufactured in the pin
configuration TO-18.
¨
This transistor is also available in the
SOT-23 case with the type designation
MMBT2222A
MECHANICAL DATA
Case:
TO-92 Plastic Package
Weight:
approx. 0.18g
MAXIMUM RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
75
Volts
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
40
Volts
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6.0
Volts
Collector Current-Continuous
I
C
600
mA
Power Dissipation at T
A
=25
°
C
Derate above 25
°
C
P
tot
625
5.0
mW
mW/
°
C
Power Dissipation at T
C
=25
°
C
Derate above 25
°
C
P
tot
1.5
12
W
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
R
Q
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance Junction to Case
R
Q
JC
83.3
C/W
Junction Temperature
T
j
150
C
Storage Temperature Range
T
S
D55 to +150
C
0.181 (4.6)
m
0.142 (3.6)
0.098 (2.5)
max.
0.022 (0.55)
E
C
B
TO-92
2/22/99
Dimensions in inches and (millimeters)
ADVANCED INFORMATION
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2907A | TO-92 PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS |
| MPS2907A | Small Signal Transistors(PNP)(小信號晶體管（PNP）) |
| MPS4356 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| MPS6520C | NPN TRANSISTOR |
| MPS3707C | NPN TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS2222A-BULKS | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ACRLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ACRLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2222ARL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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