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參數(shù)資料
型號(hào)： MPS2222ARLRE
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/36頁(yè)
文件大小： 388K
代理商： MPS2222ARLRE
2–534
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
General Purpose Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS2222
MPS2222A
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
30
40
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
60
75
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
5.0
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
600
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
MPS2222
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS2222A
V(BR)CEO
30
40
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
MPS2222
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
MPS2222A
V(BR)CBO
60
75
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
MPS2222
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
MPS2222A
V(BR)EBO
5.0
6.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
MPS2222A
ICEX
—
10
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 50 Vdc, IE = 0)
MPS2222
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPS2222A
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, TA = 125°C)
MPS2222
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, TA = 125°C)
MPS2222A
ICBO
—
0.01
10
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
MPS2222A
IEBO
—
100
nAdc
Base Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
MPS2222A
IBL
—
20
nAdc
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS2222
MPS2222A
*Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS2222ARL1 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907ARL1 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907AZL1G 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RL 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRE 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS2222ARLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222ARLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222ARLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222ARLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222AZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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