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參數資料
| 型號： | MPS650G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | MPS650G |
MPS650, MPS651, NPN MPS750, MPS751, PNP
http://onsemi.com
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For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS651RLRBG | Amplifier Transistors |
| MPS651RLRM | Amplifier Transistors |
| MPS651RLRMG | Amplifier Transistors |
| MPS750G | Amplifier Transistors |
| MPS750RLRA | Amplifier Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS650G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor Transistor Polarity:S |
| MPS650RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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