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參數資料
| 型號： | MPS650RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/34頁 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | MPS650RL |
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2–529
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS650
MPS750
MPS651
MPS751
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCE
40
60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
2.0
Adc
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watt
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS650, MPS750
MPS651, MPS751
V(BR)CEO
40
60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0 )
MPS650, MPS750
MPS651, MPS751
V(BR)CBO
60
80
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IC = 0, IE = 10 Adc)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPS650, MPS750
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
MPS651, MPS751
ICBO
—
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 4.0 V, IC = 0)
IEBO
—
0.1
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
MPS650
MPS651
PNP
MPS750
MPS751
*Motorola Preferred Devices
*
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
Voltage and current are
negative for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS650RL1 | 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS651RLRE | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS651RL1 | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS750RL1 | 2000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS751RLRE | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS650RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS650ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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