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參數資料
型號: MPS6514/D11Z{OPTION18}
廠商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 719K
代理商: MPS6514/D11Z{OPTION18}
相關PDF資料
PDF描述
MPS9610I 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237
MJE5850T 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE8501UA 2.5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MPS9410AH 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06/D28Z-J22Z 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
MPS6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS-65-15 功能描述:線性和開關式電源 63W 15V 4.2A RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數量:1 輸出電壓(通道 1):20 V 輸出電流(通道 1):40 A 商用/醫用: 輸出電壓(通道 2): 輸出電流(通道 2): 安裝風格:Rack 長度: 寬度: 高度:
MPS6515_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6515_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6515_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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