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參數(shù)資料
型號(hào): MPS651G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Amplifier Transistors
中文描述: 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 111K
代理商: MPS651G
MPS650, MPS651, NPN MPS750, MPS751, PNP
http://onsemi.com
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For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS651RLRA Amplifier Transistors
MPS651RLRAG Amplifier Transistors
MPS6729 One Watt Amplifier Transistor (PNP Silicon)
MPSA63G Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA63RLRA Darlington Transistors PNP Silicon
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參數(shù)描述
MPS651RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS651RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS651RLRB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MPS651RLRBG 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
MPS651RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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