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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS651RLRA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | MPS651RLRA |
MPS650, MPS651, NPN MPS750, MPS751, PNP
http://onsemi.com
3
Figure 1. MPS650, MPS651
Typical DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
h
300
0
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
NPN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
50
100 200
500
h
250
0
PNP
30
60
90
120
150
180
210
240
270
20
50
100
200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
25
50
75
100
125
200
175
150
225
1.0 A 2.0 A4.0 A
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
50
V
2.0
0
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
Figure 2. MPS750, MPS751
Typical DC Current Gain
Figure 3. MPS650, MPS651
On Voltages
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.4
0.8
0.6
0.2
100
200
500
1.0 A
2.0 A
4.0 A
NPN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0
Figure 4. MPS750, MPS751
On Voltages
50
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.4
0.8
0.6
0.2
100
200
500
1.0 A
2.0 A
4.0 A
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
PNP
V
BE(on)
@ V
CE
= 2.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS651RLRAG | Amplifier Transistors |
| MPS6729 | One Watt Amplifier Transistor (PNP Silicon) |
| MPSA63G | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRA | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRAG | Darlington Transistors PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS651RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651RLRB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MPS651RLRBG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
| MPS651RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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