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參數資料
| 型號： | MPS651RLRAG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | MPS651RLRAG |
MPS650, MPS651, NPN MPS750, MPS751, PNP
http://onsemi.com
4
Figure 5. MPS650, MPS651
Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.05
1.0
0
NPN
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
50
100 200 500
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA I
C
= 100 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 2.0 A
10
4.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
100 s
1.0 ms
T
A
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
MPS75
M0
1
WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
0.05
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
PNP
I
B
, BASE CURRENT (mA)
PNP
Figure 6. MPS750, MPS751
Collector Saturation Region
V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 2.0 A
0.05
1.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1 0.2 0.5 1.02.0
5.0 10 20
50 100200 500
10
4.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
I
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. MPS650, MPS651 SOA,
Safe Operating Area
T
A
= 25
°
C
1.0 ms
T
C
= 25
°
C
100 s
MPS65
0
MPS65
1
WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
Figure 8. MPS750, MPS751 SOA,
Safe Operating Area
NPN
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6729 | One Watt Amplifier Transistor (PNP Silicon) |
| MPSA63G | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRA | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRAG | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRM | Darlington Transistors PNP Silicon |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS651RLRB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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| MPS651RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651S | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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