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參數資料
| 型號： | MPS6715 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/34頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | MPS6715 |
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2–602
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
One Watt Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
MPS6714
MPS6715
VCEO
30
40
Vdc
Collector – Base Voltage
MPS6714
MPS6715
VCBO
40
50
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS6714
MPS6715
V(BR)CEO
30
40
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
MPS6714
MPS6715
V(BR)CBO
40
50
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
MPS6714
(VCB = 50 Vdc, IE = 0)
MPS6715
ICBO
—
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
0.1
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 30 ms; Duty Cycle v 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS6714
MPS6715
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6714ZL1 | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6715RLRE | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6714RLRM | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6714 | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6715RLRA | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS6717 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6717G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6717RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6717RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6724 | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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