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參數資料
| 型號： | MPS6724 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | MPS6724 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS6724
MPS6725
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
40
50
Vdc
Collector–Base Voltage
50
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
12
Vdc
Collector Current — Continuous
1000
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPS6724
MPS6725
V(BR)CES
40
50
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 Adc, IE = 0)
MPS6724
MPS6725
V(BR)CBO
50
60
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
MPS6724
MPS6725
ICBO
—
—
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
Order this document
by MPS6724/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
23
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6724 | One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPS6725 | One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPS6725 | One Watt Darlington Transistors |
| MPS6726 | One Watt Amplifier Transistor |
| MPS6726 | One Watt Amplifier Transistor(PNP Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS6724G | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6724RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6724RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6725 | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6725G | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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