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參數資料
| 型號： | MPSA06 |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Small Signal Transistor 625 mW |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | MPSA06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURH860 | 8 Amp Super Fast Glass Passivated Rectifier 50 to 600 Volts |
| M3E62XQA | 14 pin DIP, 3.3 Volt, ECL/PECL, Clock Oscillator |
| MI-J2K-IA | GT 8C 8#16 PIN RECP WALL |
| MI-J2K-IY | GT 8C 8#16 PIN RECP WALL |
| MI-J2K-IZ | GT 8C 8#16 PIN RECP WALL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS-A06 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| MPSA06 T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MPSA06,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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