- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄376191 > MPSA06 (GE Security, Inc.) Small Signal Transistors(NPN)(小信號晶體管（NPN）) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MPSA06 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Small Signal Transistors(NPN)(小信號晶體管（NPN）) |
| 中文描述： | 小信號晶體管（NPN）的（小信號晶體管（NPN）的） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | MPSA06 |
MPSA06
Small Signal Transistors (NPN)
FEATURES
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for
switching and amplifier applications.
As complementary type, the PNP
transistor MPSA56 is recommended.
On special request, this transistor is
also manufactured in the pin configuration
TO-18.
This transistor is also available in the
SOT-23 case with the type designation MMBTA06
MECHANICAL DATA
Case:
TO-92 Plastic Package
Weight:
approx. 0.18g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
80
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
4.0
V
Collector Current
I
C
500
mA
Power Dissipation at T
A
= 25 °C
P
tot
625
1.5
mW
W
at T
C
= 25 °C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
θ
JA
200
(1)
K/W
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
S
–65 to +150
°C
1)
Valid provided that leads are kept at ambient temperature
0.181 (4.6)
m
0.142 (3.6)
0.098 (2.5)
max.
0.022 (0.55)
E
C
B
TO-92
10/27/98
Dimensions in inches and (millimeters)
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA18 | 300,000 SYSTEM GATE 1.8V FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| MPSA26 | 300,000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| MPS6562 | PNP (AUDIO TRANSISTOR) |
| MPSA26 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MPSA27 | 300,000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS-A06 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| MPSA06 T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MPSA06,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。