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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA06RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 32/36頁 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MPSA06RLRE |
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NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
2–623
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. MPSA05/06 Collector Saturation
Region
Figure 15. MPSA55/56 Collector Saturation
Region
Figure 16. MPSA05/06 Base–Emitter
Temperature Coefficient
Figure 17. MPSA55/56 Base–Emitter
Temperature Coefficient
100
500
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
10
0.05
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
TJ = 25°C
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
10
RqVB for VBE
q
°
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
q
°
50
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
250 mA
IC =
500 mA
IC =
10 mA
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
1.0
2.0
5.0
20
50
200
20
2.0
5.0
0.2
0.5
–100
–500
–0.5
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–10
RqVB for VBE
–1.0 –2.0
–5.0
–20
–50
–200
–0.1
–10
–0.05
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–1.0
TJ = 25°C
–50
IC =
–100 mA
IC =
–50 mA
IC =
–250 mA
IC =
–500 mA
IC =
–10 mA
–20
–2.0
–5.0
–0.2
–0.5
Figure 18. MPSA05, MPSA06, MPSA55 and MPSA56 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r(t),
NORMALIZED
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
Z
θJC(t) = r(t) RθJC
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
Z
θJA(t) = r(t) RθJA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θJA(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
(SEE AN469)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
P(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.05
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA64J05Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA64D75Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64D74Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64J18Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA64D26Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA06RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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