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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA18-5T |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92-5T, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | MPSA18-5T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBFJ111S62Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MPSA65-5F | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14-18F | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MBM300GS6A | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPS8099TRB | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA18G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18RLRA1 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MPSA18RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA18RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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