型號: | MPSA29RLRP |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Darlington Transistors NPN Silicon |
中文描述: | 500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 64K |
代理商: | MPSA29RLRP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MPSA29RLRPG | Darlington Transistors NPN Silicon |
MPV3J80U8PJ-R | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
MPV3J80B1QJ-R | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
MPV3J80B8PJ | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
MPV3J80B8PJ-R | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPSA29RLRPG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 100V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MPSA30 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MPSA42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS-A42 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
MPSA42 AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |