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參數資料
| 型號： | MPSA56-STYLE-C |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MPSA56-STYLE-C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS3E1850TNC | MOBILE STATION ANTENNA |
| MSU144BNC | MOBILE STATION ANTENNA |
| M95080-MB3G/S | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| M95080-WMB3TG/S | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MMCK-67130V-45 | 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CDIP48 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSA56STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56T93 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92EBC PNPGPA&S RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA6 | 制造商:General Electric Company 功能描述:6/MPSA |
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