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參數資料
型號： MPSA56RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數： 31/36頁
文件大小： 385K
代理商： MPSA56RL1
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
2–622
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 8. MPSA05/06 Active–Region Safe
Operating Area
Figure 9. MPSA55/56 Active–Region Safe
Operating Area
Figure 10. MPSA05/06 DC Current Gain
Figure 11. MPSA55/56 DC Current Gain
Figure 12. MPSA05/06 “ON” Voltages
Figure 13. MPSA55/56 “ON” Voltages
2.0
500
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
10
500
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
TJ = 25°C
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
10
1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
200
100
50
20
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
–10
–50
–1.0
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–20
30
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
–2.0
–5.0
–1.0 k
2.0
5.0
50
1.0 k
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
1.0 ms
1.0 s
TA = 25°C
MPSA05
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA06
100
70
20
3.0
7.0
100
ms
TC = 25°C
1.0
3.0
5.0
VCE = 1.0 V
20
100
30
50
200 300
h
FE
25
°C
–55
°C
0.5
2.0
5.0
200
20
50
–2.0
–500
–0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
–10
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
–1.0
–5.0
VCE = –1.0 V
–20
–100
–50
–200
h
FE
25
°C
–55
°C
–10
–500
–1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = –1.0 V
–0.5
–2.0
–5.0
–200
–20
–50
700
300
30
70
1.0 ms
1.0 s
TA = 25°C
MPSA55
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA56
100
ms
TC = 25°C
–3.0
–7.0
–30
–100
–70
–30
–70
–300
–700
相關PDF資料
PDF描述
MPSA05ZL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06ZL1 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA05RL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA55RLRE 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA56RL 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
MPSA56RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56RLRAG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PNP -80V -0.5A TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -80V, -0.5A, TO-92
MPSA56RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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