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參數資料
| 型號： | MPSA63G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Transistors PNP Silicon |
| 中文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MPSA63G |
MPSA62, MPSA63, MPSA64
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
1.0
2.0
h
T
A
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 2.0 V
5.0 V
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
100
300
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
0.3
0.5
0.7
70
200
10 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. “On” Voltage
V
2.0
0
0.3
T
A
= 25
°
C
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
1.6
1.2
0.8
0.4
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
I
C
/I
B
= 100
0.5
1.0
2 3 5
10
20 30 50
100 200300
I
B
, BASE CURRENT ( A)
Figure 3. Collector Saturation Region
V
2.0
0.6
T
A
= 25
°
C
I
C
=
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.10.2
1 2
5 1020 50100200500
0.5
1K2K
10K
10 mA 50 mA 100 mA 175 mA
300 mA
10
4.0
3.0
2.0
0.1
Figure 4. High Frequency Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= 5.0 V
f = 100 MHz
T
A
= 25
°
C
|
1.0
0.4
0.2
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
1K
V
CE
, COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)
6.0
I
10
20
Figure 5. Active Region, Safe Operating Area
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
(DUTY CYCLE
≤
10%)
300
200
100
50
20
10
40 60
100 s
1.0 ms
T
A
= 25
°
C
1000
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPSA62
MPSA63
1.0
2.0
4.0
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 100
5K
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA63RLRA | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRAG | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRM | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRMG | Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA63RLRP | Darlington Transistors PNP Silicon |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSA63RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA63RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA63RLRM | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA63RLRMG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA63RLRP | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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