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參數資料
型號: MPSA64D26Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 5/14頁
文件大小: 881K
代理商: MPSA64D26Z
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Package Dimensions
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
2000 Fairchild Semiconductor International
相關PDF資料
PDF描述
MPSA65D75Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA65D26Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA65J18Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA65J05Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA65D87Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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MPSA64G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MPSA64RLRA 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSA64RLRAG 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSA64RLRM 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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