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參數資料
型號: MPSA64D75Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 8/14頁
文件大小: 881K
代理商: MPSA64D75Z
MPSA64
/
MMBT
A64
/
PZT
A64
Typical Characteristics (continued)
PNP Darlington Transistor
(continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
REVERSE VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
A
N
C
E
(
p
F)
C
f = 1.0 MHz
ib
C ob
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
TO-92
SOT-23
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(
O
N)
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(n
A
)
A
CBO
°
V
= 15V
CB
相關PDF資料
PDF描述
MPSA64D74Z 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA64J18Z 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA64D26Z 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA65D75Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA65D26Z 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
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MPSA64G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MPSA64RLRA 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSA64RLRAG 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSA64RLRM 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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